凈化鋁材的凈化需要什么樣的氣壓
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人氣：8 發表時間：2023-05-29
因為加工精度更雜亂的凈化進程，使溫度動搖范圍的要求越來越小。例如，在大規模集成電路的出產的光刻曝光進程中，掩模資料是玻璃和硅的熱脹大系數之間的差異越來越小的要求。直徑為100微米的硅晶片的溫度上升到一個程度，鋁材就引起了0.24um的線性脹大，因此必須有一個穩定的溫度的±0.1度，而需要的濕度值一般較低，因為人汗后的產品將有污染，尤其是他們懼怕鈉半導體廠，這家工廠應該不會超越25度。
高濕度產生更多的問題。當相對濕度超越55%時，冷凝管內壁將是，假如有一個準確的設備或電路，可引起各種事端。相對濕度在50%的防銹。此外，高濕度的空氣中時，水經過在晶片表面粘附分子化學吸附在表面上的塵埃電阻難以去除。相對濕度越高，附著除去，假如相對濕度低于30%時，很簡單吸附在粒子表面上的靜電的影響的難度，一起很多簡單發生擊穿的半導體器材。關于晶圓出產35-45%的最佳溫度范圍內。
在凈化鋁材室中要求的壓力：
關于大多數的潔凈室中，為了避免從外界污染，需要堅持的內部壓力(靜壓)高于外界的壓力(靜壓)。要堅持壓力差應契合下列一般準則：
1、干凈的空間壓力高于非潔凈空間的壓力。
2、高水平的清潔高于相鄰的空間中的壓力水平低的潔凈度的空間中的壓力。
3、相似之處潔凈室的開門，高水平的房間的清潔度。
依賴于新鮮的空氣，堅持的壓力差，新鮮空氣能夠從該間隙泄漏出風的壓力差，以補償。
